低对称性石墨烯量子整流:4英寸晶圆实现无线射频能量收集演示
团队以表面预熔工程制备低对称性石墨烯/锗莫尔超晶格,获得室温、零磁场的非线性霍尔响应,并在4英寸晶圆制备整流与天线一体化阵列。器件在低射频输入下获得直流输出;射频耦合、阻抗匹配和转换效率仍有待优化。
团队以表面预熔工程制备低对称性石墨烯/锗莫尔超晶格,获得室温、零磁场的非线性霍尔响应,并在4英寸晶圆制备整流与天线一体化阵列。器件在低射频输入下获得直流输出;射频耦合、阻抗匹配和转换效率仍有待优化。
研究团队提出 Step-Eva 分步蒸镀:把低剂量沉积与间歇停顿交替进行,为金属原子扩散和晶畴并合留出时间。团队以铋验证,并制备了银、铟、金和钯等单晶金属。材料与半导体形成更平整有序的界面,器件测试显示接触电阻下降、费米能级钉扎减弱。报道给出工艺与材料结果,未提供量产指标。
推荐理由:核心进展是改变沉积过程而非仅增加材料种类,可帮助理解微观结构、界面与导电性能的关系。
团队通过掺锡改变氧化铁光阳极的能带弯曲分布,并用飞秒至秒的原位光谱追踪光生电荷。结果指出,开始空间分离的条件由空间电荷层宽度决定;超过与德拜屏蔽长度相关的阈值后,内建电场才主导分离。最终性能更多受到微秒至秒长寿命电荷的影响。结论针对该电极体系,不能简化成所有催化剂都只需增强电场。
团队先制备 Mg₂RhH₅ 前驱体,再调控组成和结构,在超过 30 GPa、1000 K 的条件下制得 Mg₂RhH₆。电学测试显示其在 30 GPa 以上、接近 30 K 时出现超导转变,并在多个样品中复现。这里的“低压”相对于更高压的富氢体系;材料仍需要高压、低温,不能理解为常压或室温超导。
推荐理由:实验条件与结果明确,尤其适合练习阅读“低压”“高温”等相对表述时先核对数值和比较对象。
物理所团队调控Mn₁.₄PtSn磁体的边界效应,将整数拓扑反斯格明子转为孤立半整数拓扑磁半子,并用电流沿样品边缘驱动其直线运动。实空间成像与微磁学模拟共同支持这一机制,边界吸引与横向力平衡抑制了偏转;结果为信息器件提供物理基础。
推荐理由:把样品边界从干扰因素变成生成和引导磁结构的条件;室温零场生成与电流操控已观察到,器件用途仍是前景。
研究用时间分辨磁光克尔效应与瞬态反射率测量 CaRuO₃/SrTiO₃ 超晶格,发现退磁速率随温度、泵浦光通量和磁场增加而加快。模型把这种行为解释为梯度磁性削弱比热发散、自旋涨落增强散射的共同作用。结果挑战的是该体系对临界慢化的预期,不能推广为所有磁体都能靠升温提高速度。
物理所与合作团队以分子束外延和紫外辅助氧化制备β-Bi₂SeO₅薄膜,观察到室温极化翻转,铁电性保持至单层极限。宏观测试给出的10 μC/cm²极化强度对应10 nm薄膜,不能直接当作单层测量值;铁电与光电耦合为器件提供材料研究方向。
推荐理由:把原子级薄膜极化稳定性与可控制备联系起来,能帮助教师区分材料物性、测量尺度和器件应用前景。
物理所与北京师范大学团队结合结构表征、角分辨光电子能谱、电输运和计算确认LaCrGe₃的磁性外尔半金属特性,并用旋转外磁场调节磁矩取向和输运响应。计算给出呼吸畸变使外尔点从6对增至12对及转动时部分点移动、湮灭;观测到的反常霍尔电导内禀值约560 Ω⁻¹ cm⁻¹。
推荐理由:把晶格畸变、谱学与输运放在同一材料中比较,可作为磁性和电子运动关系的教师拓展;外尔点重构的细节部分来自理论计算。
采用过程工程所技术的辽宁鞍山难选铁矿流态化磁化焙烧工程于9月1日通过竣工验收,年处理规模为556万吨。技术通过焙烧改变矿石物相与磁性,并调控颗粒停留时间和回收显热;报道给出11%含铁尾矿可得到65%铁精矿,物相转化率98%、综合能耗0.82 GJ/吨矿。
推荐理由:用真实工程区分化学物相转变、磁性分选及显热回收,规模和能耗有明确报道;不同百分数的含义不可互换。
近日,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心M03组沈保根院士团队的陈允忠研究员与陈沅沙副研究员联合国内外多个团队,在铁磁极化金属人工构筑及电控磁新原理方面取得进展。 实验上,团队实现了最低临界电流密度达2.5×10⁵ A∙cm⁻²的电流驱动磁矩自翻转(比典型重金属 / 铁磁异质结中临界电流密度降低约两个数量级),磁矩翻转最高比例可达 75 %。 该研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国博士后科学基金以及欧盟Horizon 2020研究与创新计划等项目支持,并得到稳态强磁场实验装置、上海同步辐射光源和怀柔综合极端条件实验装置等大科学装置支持。
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心高鸿钧院士团队在磁性笼目金属GdTi₃Bi₄中开展了系统性地深入研究,通过极低温强磁场扫描隧道显微镜/谱技术,发现了双畴电荷密度波,且首次实现了电荷密度波条纹取向的原位可逆可控切换,并揭示了旋转磁场通过调控反铁磁自旋构型驱动电荷密度波取向切换的自旋-电荷耦合机制。 其主要创新性工作包括:1. 发现了GdTi₃Bi₄解理面上周期为3a₀×1a₀的单向电荷密度波,该调制存在两类相差60°的取向畴Q₁和Q₂,并由清晰的畴壁分隔;2. 发展了基于旋转面内磁场的单向电荷密度波取向调控方法,实现了Q₁和Q₂构型之间的可控、可逆切换,揭示了该切换过程具有C2对称性和高度重复性;3. 构建了电荷密度波取向随磁场方向演化的完整相图,观测到约50°的角向滞回窗口,并与面内反铁磁畴相图建立直接对应关系,揭示了自旋介导的滞回切换机制。 相关成果以“Spin-mediated hysteretic switching of unidirectional charge