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蒸镀时留出停顿，让金属原子排列成单晶薄膜

1 篇资料 · 1 个来源原文发布于 2026年9月30日

先了解这件事

中科院上海技术物理研究所提出 Step-Eva 分步蒸镀：交替进行低剂量沉积与停顿，给金属原子扩散、调整位置的时间，从而制备长程有序的单晶金属薄膜。研究已在铋、银、铟、金和钯等材料上验证。

价值在金属与半导体的接触界面：原子排列更有序，界面更平整，功函数和空间电势更均匀；相关二维半导体器件表现出更低接触电阻。报道提出的低功耗集成应用仍是研究的后续方向。

依据已读取的完整正文整理；具体条件和来源见下方。

低剂量沉积与停顿交替进行，降低成核密度、增加扩散长度，促进晶畴横向生长与并合。

报道列出铋、银、铟、金和钯，验证范围超过单一材料。

器件显示费米能级钉扎减弱、接触电阻降低；超薄金属还可保持连续导电。

本站备课建议

可作为晶体结构与导电材料的拓展阅读：让学生比较‘成分相同’与‘原子排列相同’的区别。肖特基接触等内容适合教师背景阅读。

原文、装置图及附件在来源网站查看。

2026年9月30日 · 中国科学院科研进展

研究团队提出 Step-Eva 分步蒸镀：把低剂量沉积与间歇停顿交替进行，为金属原子扩散和晶畴并合留出时间。团队以铋验证，并制备了银、铟、金和钯等单晶金属。材料与半导体形成更平整有序的界面，器件测试显示接触电阻下降、费米能级钉扎减弱。报道给出工艺与材料结果，未提供量产指标。