室温零场下生成孤立磁半子,并沿样品边缘用电流直线驱动
物理所团队调控Mn₁.₄PtSn磁体的边界效应,将整数拓扑反斯格明子转为孤立半整数拓扑磁半子,并用电流沿样品边缘驱动其直线运动。实空间成像与微磁学模拟共同支持这一机制,边界吸引与横向力平衡抑制了偏转;结果为信息器件提供物理基础。
推荐理由:把样品边界从干扰因素变成生成和引导磁结构的条件;室温零场生成与电流操控已观察到,器件用途仍是前景。
机构与来源
中科院物理所发布的物理教学或科研资料。
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物理所团队调控Mn₁.₄PtSn磁体的边界效应,将整数拓扑反斯格明子转为孤立半整数拓扑磁半子,并用电流沿样品边缘驱动其直线运动。实空间成像与微磁学模拟共同支持这一机制,边界吸引与横向力平衡抑制了偏转;结果为信息器件提供物理基础。
推荐理由:把样品边界从干扰因素变成生成和引导磁结构的条件;室温零场生成与电流操控已观察到,器件用途仍是前景。
物理所团队以高熵策略调控钙钛矿氧化物的电子结构,在单一材料内形成中间带和两步光激发通道。在无需外加助催化剂和牺牲剂的AM 1.5G模拟太阳光实验中,氢气与氧气产生速率分别为1.55和0.69 mmol·g⁻¹·h⁻¹,太阳能至氢能效率约1.34%。
推荐理由:具体增量是用化学无序构造中间带,在单一材料内部实现分步光激发,并保留无需助催化剂和牺牲剂的实验条件。
物理所与合作团队以分子束外延和紫外辅助氧化制备β-Bi₂SeO₅薄膜,观察到室温极化翻转,铁电性保持至单层极限。宏观测试给出的10 μC/cm²极化强度对应10 nm薄膜,不能直接当作单层测量值;铁电与光电耦合为器件提供材料研究方向。
推荐理由:把原子级薄膜极化稳定性与可控制备联系起来,能帮助教师区分材料物性、测量尺度和器件应用前景。
物理所与北京师范大学团队结合结构表征、角分辨光电子能谱、电输运和计算确认LaCrGe₃的磁性外尔半金属特性,并用旋转外磁场调节磁矩取向和输运响应。计算给出呼吸畸变使外尔点从6对增至12对及转动时部分点移动、湮灭;观测到的反常霍尔电导内禀值约560 Ω⁻¹ cm⁻¹。
推荐理由:把晶格畸变、谱学与输运放在同一材料中比较,可作为磁性和电子运动关系的教师拓展;外尔点重构的细节部分来自理论计算。
物理所联合团队用金刚石NV中心原位测量镧氢化物的局域磁响应,零场冷实验观察到磁屏蔽,场冷实验支持自发迈斯纳效应。充分退火样品在155 GPa下的转变温度为237 K,未充分退火样品为190–220 K;空间成像还显示超导与非超导区域共存。
推荐理由:以局域磁成像补充超导的磁性证据,便于区分磁屏蔽与场冷排磁;237 K结果必须和155 GPa及退火条件一起阅读。