蓝宝石衬底上单层二硫化钼的非常规跨台阶生长

先了解这件事

二维半导体材料能否突破台阶高度限制、实现超高台阶的跨越生长，是二维材料原子制造领域亟待解答的基础科学问题，同时也有望为可控应变工程与新型电子器件开辟全新技术路径。 近日，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心N07课题组的张养坤博士在杜罗军特聘研究员、张广宇研究员的指导下，联合杜世萱研究员，潘金波副研究员理论团队，揭示了单层二硫化钼在蓝宝石衬底上的非常规跨台阶生长。 研究团队成功在蓝宝石衬底上实现单层二硫化钼跨越高达10 纳米陡峭台阶生长，单层二硫化钼薄膜可如同 “悬空小桥” 一般，跨过超过自身厚度15倍的衬底台阶，颠覆传统薄膜外延的固有认知。

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